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AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
7.4
15.3
写入速度,GB/s
5.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2681
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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