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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
13.2
18.3
写入速度,GB/s
7.8
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
3529
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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