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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
44
读取速度,GB/s
14.5
14.7
写入速度,GB/s
9.7
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2170
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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