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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,833.8
15.0
写入速度,GB/s
2,123.3
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2247
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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