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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.5
16.6
写入速度,GB/s
9.7
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2495
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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