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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
13.9
18.4
写入速度,GB/s
8.6
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3500
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
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