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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.1
16.8
写入速度,GB/s
8.6
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3009
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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