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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.5
16.8
写入速度,GB/s
9.7
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3147
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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