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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
59
读取速度,GB/s
14.5
17.3
写入速度,GB/s
9.7
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1954
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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