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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
14.4
15.0
写入速度,GB/s
8.8
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2363
2247
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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