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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
14.7
17.6
写入速度,GB/s
9.1
14.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3236
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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