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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
13.1
19.0
写入速度,GB/s
8.5
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3668
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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