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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
76
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
76
读取速度,GB/s
13.1
13.0
写入速度,GB/s
8.5
6.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
1621
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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