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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

总分
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 40
    左右 -74% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.1 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    13.1 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 13.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2148 left arrow 2989

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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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