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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
63
读取速度,GB/s
13.1
17.0
写入速度,GB/s
8.5
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2061
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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