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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.4
14.5
写入速度,GB/s
9.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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