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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

总分
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 41
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 10.3
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2348 left arrow 1651

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB RAM的比较

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Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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