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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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更快的读取速度,GB/s
14
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
42
读取速度,GB/s
13.9
14.0
写入速度,GB/s
8.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2288
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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