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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Note globale
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Note globale
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.3 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 42
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 14.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 9.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2150 left arrow 2288

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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