RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 14.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2150 left arrow 2288

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
модули RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
модули RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
модули RAM