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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 42
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 14.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 9.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2150 left arrow 2288

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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