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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
98
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
98
读取速度,GB/s
13.4
14.8
写入速度,GB/s
9.2
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
1447
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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