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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
9.2
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2414
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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