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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.9
14.4
写入速度,GB/s
8.6
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2575
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB RAM的比较
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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