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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
13.3
20.7
写入速度,GB/s
8.5
20.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
4247
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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