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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
41
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
19
读取速度,GB/s
13.4
18.7
写入速度,GB/s
9.2
14.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3220
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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