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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
39
读取速度,GB/s
6.8
14.3
写入速度,GB/s
5.4
10.8
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2159
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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