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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
56
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
51
读取速度,GB/s
4,387.7
15.7
写入速度,GB/s
1,813.5
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2597
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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