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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
100
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
100
读取速度,GB/s
10.6
15.2
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
1479
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905625-004.A03LF 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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