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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.5
写入速度,GB/s
1,519.2
15.6
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3704
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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