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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2588
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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