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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
16.5
写入速度,GB/s
1,590.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3065
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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