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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.5
20.6
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3593
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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