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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3306
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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