RAM-Vergleich Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Gesamtnote

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 43

Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.8 14.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 9.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2506 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns