RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3306
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link