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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.4
17.4
写入速度,GB/s
9.2
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3208
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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