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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
15.2
17.3
写入速度,GB/s
9.3
13.7
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3073
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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