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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
14200
左右 1.35 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
15.2
13.4
写入速度,GB/s
9.3
7.3
内存带宽,mbps
14200
19200
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
2098
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
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