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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
15.2
13.7
写入速度,GB/s
9.3
10.6
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
2504
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
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