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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.4
12.4
写入速度,GB/s
9.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
1511
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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