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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
15.5
18.9
写入速度,GB/s
10.1
16.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
3860
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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