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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
15.5
14.9
写入速度,GB/s
10.1
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
2800
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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