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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
53
读取速度,GB/s
16.2
12.6
写入速度,GB/s
10.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3040
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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