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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
16.2
18.0
写入速度,GB/s
10.7
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3110
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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