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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
12.3
19.1
写入速度,GB/s
8.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3040
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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