TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

总分
star star star star star
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    53 left arrow 55
    左右 4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.8 left arrow 1,590.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    53 left arrow 55
  • 读取速度,GB/s
    3,726.4 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    1,590.1 left arrow 13.8
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    522 left arrow 2701
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较