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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
17.6
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3542
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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