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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
32
读取速度,GB/s
16.2
16.8
写入速度,GB/s
12.5
12.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3007
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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