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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
36
读取速度,GB/s
16.2
14.2
写入速度,GB/s
12.5
10.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
2474
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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